Ломоносовская премия - 1970: А.В.Новосёлова

Работы в области полупроводникового материаловедения Новосёлова начала с изучения процессов очистки и свойств чистого теллура, синтеза и свойств халькогенидов цинка, кадмия, свинца. Поскольку свойства материалов существенным образом зависят от дефектного состава, то разработка основ направленного синтеза, т.е. получения материалов с заданным составом и свойствами, включала:

– определение молекулярного состава фаз;

– выбор процессов, приводящих к получению заданного материала;

– определение условий, обеспечивающих заданный состав;

– создание новых или существенно модифицированных известных материалов с перспективными характеристиками.

Для решения указанных проблем Новосёлова (совм. с В.П.Зломановым) начала систематические комплексные исследования р-Т-х-фазовых диаграмм, химии дефектов нестехиометрии соединений группы А^IVВ^VI. Ею проведён теоретический анализ и рассмотрены основные типы р-Т-х-диаграмм двухкомпонентных систем, экспериментально построены диаграммы систем М-Х (М=Gе, Sn, Рb; X=S, Se, Te), определены природа и константы равновесия реакций образования преобладающих атомных дефектов в халькогенидах свинца. Важное значение имеет обоснование и разработка процессов синтеза монокристаллов по механизму пар-жидкость-кристалл (соавт.).