Хохлов Дмитрий Ремович

(род. 26.12.1957, г. Москва). Окончил физический факультет МГУ (1980).

Кандидат физико-математических наук (1982). Доктор физико-математических наук (1991). Профессор (2001). Член-корреспондент отделения физических наук (физика) РАН (2008).

Профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости (1998–2006), заведующий кафедрой общей физики и магнитоупорядоченных сред/общей физики и физики конденсированного состояния (2006–н.вр.) физического факультета.

Лауреат Государственной премии РФ (1995), премии им. И.И.Шувалова (1994).

Область научных интересов: исследование свойств узкощелевых полупроводников и  возможность практического применения данных материалов.

Госпремию РФ получил в составе авторского коллектива за открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов.

Тема кандидатской диссертации «Примесные состояния и фотоэлектрические явления в легированных сплавах свинец-олово-теллур». Тема докторской диссертации «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III-группы» (Шуваловская премия).

Читает курсы «Физика конденсированного состояния», «Основа инфракрасной оптоэлектроники», «Экспериментальные методы физики твёрдого тела», «Экспериментальные методы физики конденсированного состояния».