ЭС: К.О.Кешишев
Окончил Московский физико-технический институт (1969). Доктор физико-математических наук (1984, «Морфология квантовых кристаллов»).
Член-корреспондент отделения общей физики и астрономии (физика) РАН (1997).
Профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости физического факультета (1999–2022).
Научная и педагогическая деятельность. В сфере научных интересов физика низких температур, сверхпроводимость, техника физического эксперимента.
Внёс вклад в экспериментальное исследование взаимодействия гелия с твёрдой стенкой. Определил характер этого взаимодействия в рамках теории Ван-дер-Ваальса и дал количественное определение его параметров. Измерил толщину пристеночного «твёрдого» слоя гелия в жидкой фазе при различных температурах и давлениях вплоть до затвердевания.
Сотрудник Института физических проблем имени П.Л. Капицы РАН.
Лауреат Ленинской премии за цикл работ «Туннельный перенос вещества и квантовая кристаллизация» (1986, соавт.).
Литература: К.О.Кешишев. РАН.