ЭС: Д.Р.Хохлов

ХОХЛОВ ДМИТРИЙ РЕМОВИЧ (р. 26.12.1957, Москва), физик.
 
Окончил физический факультет МГУ (1980). Кандидат физико-математических наук (1982, «Примесные состояния и фотоэлектрические явления в легированных сплавах свинец–олово–теллур»). Доктор физико-математических наук (1991, «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы»). Профессор (2001).
Член-корреспондент отделения физических наук (физика) РАН (2008).
 
Заведующий кафедрой общей физики и магнитоупорядоченных сред/общей физики и физики конденсированного состояния (2006–н.вр.); профессор кафедры физики низких температур и сверхпроводимости (1998–2006) физического факультета.
 
Научная и педагогическая деятельность. В сфере научных интересов физика полупроводников, физика узкощелевых полупроводников, детекторы терагерцового излучения, органические полупроводники, физика полупроводниковых наноструктур.
Фундаментальные экспериментальные исследования нового класса фоточувствительных радиационно-стойких полупроводниковых материалов были начаты в процессе работы над докторской диссертацией. В результате проведённых исследований удалось доказать возможность существования в узкозонных полупроводниках примесных центров с сильной электрон-фононной корреляцией, возникновение которых в таких материалах ранее считалось невозможным. Разработана модель примесных состояний, позволяющая адекватно описать экспериментальные данные, в том числе целый ряд ранее не наблюдавшихся принципиально новых эффектов. Наиболее яркими из этих эффектов являются: гигантское отрицательное магнитосопритовление с амплитудой до 106 в сплавах PbSnTe[In] (амплитуда отрицательного магнитосопротивления не превышает нескольких десятков процентов ни в одном из известных материалов); эффект динамической локализации неравновесных носителей заряда в сверхсильном магнитном поле в сплавах PbSnNe[In], не имеющей аналогов ни в одном из полупроводников; гигантский селективный фотоотклик в дальнем инфракрасном диапазоне в области азотных температур в сплавах на основе PbTe[Ga], не наблюдающийся ни в одном из существующих фотопроводников; эффект СВЧ-стимуляции фотопроводимости в сплавах PbSnTe[In], позволяющий увеличить квантовую эффективность материала до величин порядка 100 (во всех существующих инфракрасных фотоприёмниках она не превышает 1); уникальный эффект СВЧ-резонанса фотопроводимости в PbSnTe[In], позволяющий возбудить проводимость в изначально непроводящем материале при помощи СВЧ-накачки определённой частоты; экспериментально доказана возможность фотогенерации долгоживущих обьёмно-неравновесных состояний в сплавах PbSnTe[In].
 
Использование особенностей исследованных полупроводниковых материалов позволило разработать физические принципы функционирования принципиально нового класса фотоприёмных систем ифракрасного диапазона, характерными особенностями которых являются: способность запоминать как единое целое инфракрасное изображение в области длин волн 5–100 мкм; способность работать в режиме периодического накопления и последующего быстрого (порядка 10 мкс) стирания изображения; возможность резкого усиления чувствительности приёмников за счёт эффекта СВЧ-стимуляции фотопроводимости.
Фотоприёмные системы такого рода находят применение в инфракрасной астрономии космического базирования; в медицине для диагностики ряда заболеваний, в геологии для разведки месторождений полезных ископаемых; в экологии для систем дистанционного мониторинга; при спасательных работах для поиска людей; в приборостроении; криминалистике.
 
Лауреат Государственной премии РФ за открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов (1995, соавт.).
Лауреат премии имени И.И. Шувалова за докторскую диссертацию «Примесные метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы» (1994).
 
Основные труды: «Новый класс высокофоточувствительных материалов для оптоэлектроники и ИК-техники» (соавт., 1994), «Примеси с переменной валентностью в твёрдых растворах на основе теллурида свинца» (соавт., 2002), «Новый тип высокочувствительных приёмников излучения терагерцового диапазона» (соавт., 2006), «Особенности механизмов переноса носителей заряда в сформированных на поверхности кремния ансамблях полупроводниковых комплексов бутилзамещённого трифталоцианина, содержащих атомы эрбия» (соавт., 2008), «Словарь нанотехнологических и связанных с нанотехнологиями терминов» (соавт., 2010).