ЭС: В.Ф.Лукичев
Окончил Школу-интернат физико-математического профиля №18 при МГУ (1972), физический факультет МГУ (1978). Кандидат физико-математических наук (1983). Доктор физико-математических наук (1997, «Теоретическое исследование глубокого анизотропного травления кремниевых структур в низкотемпературной плазме»).
Член-корреспондент отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН (2011).
Научная и педагогическая деятельность. В сфере научных интересов элементная база вычислительных, локационных, телекоммуникационных систем.
Получил граничные условия (Куприянова–Лукичева) для квазиклассических неравновесных функций Грина, обобщение которых позволяет рассчитывать параметры структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, джозефсоновских переходов с прослойкой из ферромагнетиков, а также многозонных сверхпроводников. Разработал многокомпонентную модель реактивного ионного травления/РИТ кремниевых микро- и наноструктур, исследовал предельные возможности РИТ, ограниченные апертурным эффектом, действием краевых полей и силами изображения; модель плазменно-иммерсионной ионной имплантации для формирования сверхмелкозалегающих р-п переходов, что позволило получить р-п переходы с глубиной залегания до 10 нм для создания кремниевых нанотранзисторов и твердотельных квантовых компьютеров. Оптимизировал параметры технологического процесса глубокого анизотропного травления кремния с аспектными отношениями более 100, применяемого при разработке и создании кремниевых микроэлектромеханических элементов для авиационных навигационных систем.
Директор Физико-технологического института имени К.А. Валиева РАН (2017–н.вр.). Преподаёт в Московском институте радиотехники, электроники и автоматики.
Литература: В.Ф.Лукичев. РАН.