ЭС: С.Г.Калашников
КАЛАШНИКОВ СЕРГЕЙ ГРИГОРЬЕВИЧ (9.02.1906, Николаев Херсонской губ., Российская империя – 23.04.1984, Москва), физик.
Окончил физико-математический факультет МГУ (1930). Доктор физико-математических наук (1940, «Исследование дифракции медленных электронов»). Профессор (1941).
Заведующий кафедрой физики полупроводников (1953–1961); заведующий кафедрой общей физики для механико-математического и физического факультетов (1948–1953) физического факультета. Заведующий кафедрой общей физики физико-технического факультета (1950, и.о.). Работал в МГУ с 1929 г.
Научная и педагогическая деятельность. В сфере научных интересов физика полупроводников.
Организация полупроводниковой промышленности в середине 1940-х гг. начиналась с создания прикладных научно-исследовательских институтов и конструкторских бюро, разрабатывавших технологию материалов и приборов и внедрявших их в производство. С.Г. Калашников внёс значительный вклад в изучение химии и физики германия и кремния – основных материалов полупроводниковой электроники, базы для высококачественных диодов и триодов, мощных выпрямителей, фотосопротивлений, фотоэлементов с запирающим слоем и с высоким коэффициентом полезного действия. Результаты его работ по изучению высокочастотных свойств p-n переходов в полупроводниках объясняли частотные свойства германиевых и кремниевых диодов и позволили решить задачу создания диодов для работы в СВЧ диапазоне детекторов для радиолокации.
Проводил исследования электрической и акустоэлектрической неустойчивости, рекомбинационных волн и волн перезарядки ловушек, поглощения и усиления ультразвука, что также было вызвано потребностями промышленности.
Возглавив кафедру физики полупроводников, С.Г. Калашников с сотрудниками разработали новаторские курсы и задачи по электропроводности и эффекту Холла в полупроводниках, по измерению подвижности, времени жизни и диффузионной длины неравновесных носителей, по свойствам p-n-переходов и транзисторов.
Лауреат Государственной премии СССР за научно-техническую разработку, создание технологии массового производства и широкое внедрение в народное хозяйство полупроводниковых импульсных диодов и диодных матриц (1972, соавт.).
Лауреат Государственной премии СССР за работу в области связи (1951, соавт.).
Заслуженный деятель науки и техники РСФСР.
Государственные награды: ордена – Ленина, Трудового Красного Знамени (1945, 1951, 1955).
Литература: Памяти С.Г.Калашникова. Физика и техника полупроводников. 1985. Т. 19. Вып. 1. С. 184–186.