ЭС: Ю.А.Осипьян
ОСИПЬЯН ЮРИЙ АНДРЕЕВИЧ (15.02.1931, Москва – 10.09.2008, Москва), физик, математик.
Окончил Московский институт стали и сплавов (1955), механико-математический факультет МГУ (1959). Кандидат физико-математических наук (1961, «Исследование некоторых физических свойств твёрдых растворов на основе железа и никеля»). Доктор физико-математических наук (1968). Профессор (1969).
Академик отделения общей физики и астрономии (общая и прикладная физика) АН СССР/РАН (1981, член-корреспондент с 1972, вице-президент 1988–1991).
Заведующий кафедрой физики конденсированного состояния вещества физического факультета (1998–2008). Декан физико-химического факультета (2006–2008). Директор Подмосковного филиала МГУ (1998–2006).
Научная и педагогическая деятельность. В сфере научных интересов физика твёрдого тела, теория фазовых превращений, физика прочности, физика электрических и магнитных явлений, физика полупроводников, оптика.
Один из основоположников направления физика дислокаций в полупроводниковых кристаллах. Провёл пионерные эксперименты, связанные с изучением взаимодействия электронов с протяжёнными дефектами в кристаллах. Исследуя действие обычного видимого света на кристаллы полупроводников, Ю.А. Осипьян обнаружил его существенное влияние на их пластические свойства (1967, соавтор). Открытый фотопластический эффект заключался в изменении сопротивления пластической деформации кристаллов полупроводников под действием света, причём максимальное изменение происходило при длинах волн, соответствующих краю собственного поглощения кристаллов. На его основе стала возможной разработка нового способа управления пластичностью полупроводниковых кристаллов, создание нового типа элементов автоматического регулирования, новой технологии полупроводников, качественно новых приёмников видимого светового и инфракрасного излучения. Совместно с учениками были обнаружены электропластический эффект и наличие заряда на дислокациях в полупроводниках А2В6, существование кластеров «оборванных» валентных связей в ядрах дислокаций в кремнии, электронный спиновый резонанс и спин-зависимая рекомбинация на дислокациях. Тонко поставленные эксперименты по высокочастотной проводимости привели к открытию квази-одномерных электронных зон, связанных с дислокациями и комбинированного резонанса электронов на дислокациях в кремнии. Было установлено влияние магнитного поля на пластическую деформацию сверхпроводников и было показано, что состояние электронной системы сильно влияет на пластическую деформацию и, в свою очередь, введение дислокаций приводит к изменению свойств электронной системы в пластически деформированных кристаллах. Из первых экспериментов по электронному парамагнитному резонансу на оборванных связях развился мощный метод диагностики полупроводников – ЭПР спектроскопия дефектов в полупроводниках. В последнее время большое внимание уделял изучению механических и физических свойств фуллеритов и нано-композиционных углеродных материалов на основе молекул фуллерена и нанотрубок.
Директор Института физики твёрдого тела РАН (1973–2002). С середины 1980-х гг., с открытием высокотемпературной сверхпроводимости/ВТСП, по инициативе Ю.А. Осипьяна и под его руководством была сформирована государственная программа по проблеме ВТСП. Провёл ряд исследований структурных и физических свойств кристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности, механизма двойникования кристаллов, структуры магнитного потока в сверхпроводнике, анизотропии проводимости, оптики сверхпроводящей и нормальных фаз ВТСП монокристаллов.
Награждён Большой золотой медалью имени М.В. Ломоносова за фундаментальный вклад в физику дислокаций в твёрдых телах и открытие фотопластического эффекта (РАН, 2005).
Награждён золотой медалью имени П.Н. Лебедева за цикл работ «Исследование влияния света на пластическую деформацию кристаллов и открытие фотопластического эффекта» (АН СССР, 1984).
Заслуженный профессор Московского университета (1999).
Административная деятельность. В 1996 г. инициировал создание Подмосковного филиала МГУ на базе Научного центра РАН в Черноголовке. Средоточие в одном месте институтов различного профиля стало значительным преимуществом при подготовке научных кадров всех квалифицированных уровней по естественнонаучным специальностям. К 2006 г. стало ясно, что подготовка ведётся в основном по физическому и химическому направлениям. Филиал был преобразован в физико-химический факультет, с целью обеспечения более тесной интеграции образования и научно-исследовательской работы, сконцентрированной в активно действующих институтах РАН.
Государственные награды: Герой Социалистического Труда (1986). Ордена – «За заслуги перед Отечеством» (II ст. – 1999), Ленина (1981, 1986), Трудового Красного Знамени (1971, 1975).
Награды иностранных государств: орден «Почётного легиона/Ordre national de la Légion d'honneur» (Французская Республика, 1990).
Основные труды: «Дислокация и физические свойства полупроводников» (1972), «Влияние дислокации на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов» (1975), «Кинетика трансмутационного легирования как метод спектроскопии глубоких центров в германии» (соавт., 1984), «Квантовые диссипативные эффекты в динамике дислокаций» (соавт., 1988), «Электронные свойства дислокаций в полупроводниках» (соавт., 2000), «Спайность кристаллов фуллерита С60» (соавт., 2005).
Литература: Ю.А.Осипьян. Институт физики твёрдого тела РАН; Ю.А.Осипьяну – 75 лет. РАН.